型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
-
![]()
品类: FET驱动器描述: 与引导双功率MOSFET高速驱动 High speed Driver with bootstrapping for dual Power MOSFETs41995+￥5.396025+￥4.996350+￥4.7165100+￥4.5966500+￥4.51662500+￥4.41675000+￥4.376710000+￥4.3168 -
![]()
品类: FET驱动器描述: 海赛德智能电源开关的工业应用 Smart Highside Power Switch for Industrial Applications73555+￥15.610150+￥14.9430200+￥14.5695500+￥14.47611000+￥14.38272500+￥14.27595000+￥14.20927500+￥14.1425 -
![]()
品类: FET驱动器描述: INFINEON ITS410E2 E3043 电源负载开关, SIPMOS技术, 高压侧, 1路输出, 12A, TO-220AB-519805+￥17.404950+￥16.6611200+￥16.2446500+￥16.14051000+￥16.03632500+￥15.91735000+￥15.84297500+￥15.7686 -
![]()
品类: FET驱动器描述: MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，Infineon Infineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC 栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟，用于两个通道 输出相位，带输入 无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)781710+￥10.5696100+￥10.0411500+￥9.68881000+￥9.67122000+￥9.60075000+￥9.51267500+￥9.442210000+￥9.4069 -
![]()
品类: FET驱动器描述: INFINEON IRS21281SPBF 门驱动器, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 600mA输出, 150ns延迟, SOIC-863175+￥12.497950+￥11.9638200+￥11.6647500+￥11.59001000+￥11.51522500+￥11.42975000+￥11.37637500+￥11.3229 -
![]()
品类: FET驱动器描述: INFINEON IRS21864PBF 驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 4A输出, 170ns延迟, DIP-14282110+￥10.6944100+￥10.1597500+￥9.80321000+￥9.78542000+￥9.71415000+￥9.62507500+￥9.553710000+￥9.5180 -
![]()
品类: FET驱动器描述: INFINEON IRS21850SPBF 门驱动器, IGBT/MOSFET, 高压侧, 10V-20V电源, 4A输出, 160ns延迟, SOIC-862335+￥16.624550+￥15.9141200+￥15.5162500+￥15.41681000+￥15.31732500+￥15.20365000+￥15.13267500+￥15.0615 -
![]()
品类: FET驱动器描述: INFINEON IRS21844PBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 270ns延迟, DIP-1432645+￥24.724450+￥23.6678200+￥23.0761500+￥22.92821000+￥22.78032500+￥22.61125000+￥22.50567500+￥22.3999 -
![]()
品类: FET驱动器描述: MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)49941+￥103.201010+￥98.7140100+￥97.9063250+￥97.2782500+￥96.29101000+￥95.84232500+￥95.21415000+￥94.6757 -
![]()
品类: FET驱动器描述: MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)3491 -
![]()
品类: FET驱动器描述: PVI5013R 8 V 1 uA 40 mA 双通道 光伏隔离器 通孔 - DIP-869731+￥59.720710+￥57.1241100+￥56.6567250+￥56.2932500+￥55.72201000+￥55.46232500+￥55.09885000+￥54.7872 -
![]()
品类: FET驱动器描述: P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-365031+￥55.471010+￥52.2882100+￥49.9239250+￥49.5601500+￥49.19641000+￥48.78722500+￥48.42345000+￥48.1961 -
![]()
品类: FET驱动器描述: HITFET™ 智能低侧电源开关，Infineon HITFET™ 汽车智能低电压端开关系列内置 ESD、过温、短路和过载状况保护。 HITFET 系列具有高达 480 毫欧的开关接通电阻，且可标出 RDSon。 诊断或闩锁和重启保护 易于嵌入式更换33975+￥5.856325+￥5.422550+￥5.1188100+￥4.9887500+￥4.90192500+￥4.79355000+￥4.750110000+￥4.6850 -
![]()
品类: FET驱动器描述: MOSFET DRVR 50A 1Out Hi/Lo Side Non-Inv 38Pin LG-WIQFN T/R55045+￥31.196950+￥29.8637200+￥29.1171500+￥28.93041000+￥28.74382500+￥28.53055000+￥28.39727500+￥28.2638 -
![]()
品类: FET驱动器描述: EiceDRIVER™ 2ED300C17 双 IGBT 驱动器板，Infineon 2ED300C17-S 设计用于工业应用和具有特殊涂层的 2ED300C17-ST。 2ED300C17-ST 用于要求更高的应用，如风车和铁路牵引。 双通道 IGBT 驱动器板，用于 Infineon 中高功率 IGBT 模块 用于 600 V、1200V 和 1700V Infineon IGBT 模块 VCEsat 监控 故障状况软关闭 强化后绝缘符合 EN50178 集成直流-直流 SMPS 高峰值输出电流 ±15V 次级驱动电压 传播延迟时间短 可选感应功能 高 RFI 抗扰性 ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)51961+￥1181.000710+￥1170.264325+￥1164.896150+￥1159.5280100+￥1154.1598150+￥1148.7916250+￥1143.4234500+￥1138.0552 -
![]()
品类: FET驱动器描述: 8通道高边和低边继电器开关 8 Channel High-Side and Low-Side Relay Switch543910+￥6.6960100+￥6.3612500+￥6.13801000+￥6.12682000+￥6.08225000+￥6.02647500+￥5.981810000+￥5.9594 -
![]()
品类: FET驱动器描述: SPI驱动器增强型继电器控制 SPI Driver for Enhanced Relay Control70445+￥14.589950+￥13.9664200+￥13.6172500+￥13.53001000+￥13.44272500+￥13.34295000+￥13.28067500+￥13.2182 -
![]()
品类: FET驱动器描述: INFINEON IRS2304SPBF 芯片, 半桥驱动器, 高电压 高速492310+￥7.9632100+￥7.5650500+￥7.29961000+￥7.28632000+￥7.23325000+￥7.16697500+￥7.113810000+￥7.0872 -
![]()
品类: FET驱动器描述: P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3701810+￥7.5960100+￥7.2162500+￥6.96301000+￥6.95032000+￥6.89975000+￥6.83647500+￥6.785810000+￥6.7604 -
![]()
品类: FET驱动器描述: 门驱动器 600V 3Phs Drvr IC w/integr OperAmpl36301+￥46.440510+￥43.7759100+￥41.7965250+￥41.4919500+￥41.18741000+￥40.84482500+￥40.54035000+￥40.3500 -
![]()
品类: FET驱动器描述: P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-323635+￥23.548650+￥22.5422200+￥21.9787500+￥21.83781000+￥21.69692500+￥21.53595000+￥21.43537500+￥21.3346 -
![]()
品类: FET驱动器描述: INFINEON IRS26302DJPBF 芯片, 栅极驱动器, 高电压, 三相, 44PLCC62521+￥55.425810+￥52.2457100+￥49.8832250+￥49.5198500+￥49.15631000+￥48.74752500+￥48.38405000+￥48.1569 -
![]()
品类: FET驱动器描述: INFINEON IRS2330DSPBF 功率芯片, 3相桥接, 10V-20V电源, 500mA输出, 500ns延迟, SOIC-2890561+￥169.299610+￥164.883050+￥161.4970100+￥160.3193200+￥159.4360500+￥158.25831000+￥157.52222000+￥156.7861 -
![]()
品类: FET驱动器描述: INFINEON IRS23364DSPBF 驱动器芯片, 3相桥接, 11.5V-20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, SOIC-2874431+￥41.262810+￥38.8953100+￥37.1366250+￥36.8660500+￥36.59541000+￥36.29102500+￥36.02045000+￥35.8513 -
![]()
品类: FET驱动器描述: MOSFET DRVR 600V 6Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv 28Pin SOIC W T/R49015+￥29.094450+￥27.8510200+￥27.1548500+￥26.98071000+￥26.80662500+￥26.60775000+￥26.48347500+￥26.3590 -
![]()
品类: FET驱动器描述: P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3306910+￥9.9672100+￥9.4688500+￥9.13661000+￥9.12002000+￥9.05355000+￥8.97057500+￥8.904010000+￥8.8708
